GC800# 반도체 웨이퍼 래핑 파우더 그린 실리콘 카바이드
소개
GC800# Green Silicon Carbide(SiC) 래핑 파우더는 반도체 웨이퍼 래핑 및 연마의 정밀하고 까다로운 요구 사항을 충족하도록 설계된 고순도 합성 연마재입니다.
이 제품은 뛰어난 표면 마감, 평탄도, 최소한의 표면 아래 손상이 집적 회로 성능에 중요한 애플리케이션을 위해 특별히 설계되었습니다.
뛰어난 경도와 제어된 입자 형태 덕분에 첨단 반도체 제조 공정에 이상적인 선택입니다.
물리적 특성
| 비중 | 3.95g/ cm3 |
| 모스 경도 | 9.5 |
| 최대 서비스 온도 | 1900℃ |
| 녹는점 | 2250℃ |
일반적인 화학 분석 [%]
| SiC | 철 2O3 | FC | F.Si | 이산화규소 (SiO2 ) | 법 |
| 98.0-99.5 | ≤0.15 | ≤0.30 | ≤0.40 | ≤0.70 | < 0.09 |
입자 크기 분포
제1장(JIS 규격)
| 크기 | D O (하나) | D 3 (음) | D 50 (1) | D 94 (음) |
| #240 | ≤127 | ≤103 | 57.0±3.0 | ≥40 |
| #280 | ≤112 | ≤87 | 48.0±3.0 | ≥33 |
| #320 | ≤98 | ≤74 | 40.0±2.5 | ≥27 |
| #360 | ≤86 | ≤66 | 35.0±2.0 | ≥23 |
| #400 | ≤75 | ≤58 | 30.0±2.0 | ≥20 |
| #500 | ≤63 | ≤50 | 25.0±2.0 | ≥16 |
| #600 | ≤53 | ≤41 | 20.0±1.5 | ≥13 |
| #700 | ≤45 | ≤37 | 17.0±1.5 | ≥11 |
| #800 | ≤38 | ≤31 | 14.0±1.0 | ≥9.0 |
| #1000 | ≤32 | ≤27 | 11.5±1.0 | ≥7.0 |
| #1200 | ≤27 | ≤23 | 9.5±0.8 | ≥5.5 |
| #1500 | ≤23 | ≤20 | 8.0±0.6 | ≥4.5 |
| #2000 | ≤19 | ≤17 | 6.7±0.6 | ≥4.0 |
| #2500 | ≤16 | ≤14 | 5.5±0.5 | ≥3.0 |
| #3000 | ≤13 | ≤11 | 4.0±0.5 | ≥2.0 |
| #4000 | ≤11 | ≤8.0 | 3.0±0.4 | ≥1.8 |
| #6000 | ≤8.0 | ≤5.0 | 2.0±0.4 | ≥0.8 |
| #8000 | ≤6.0 | ≤3.5 | 1.2±0.3 | ≥0.6 |
제2장(FEPA 표준)
| 크기 | D 3 (음) | D 50 (1) | D 94 (음) |
| F230 | <82 | 53.0±3.0 | >34 |
| F240 | <70 | 44.5±2.0 | >28 |
| F280 | <59 | 36.5±1.5 | >22 |
| F320 | <49 | 29.2±1.5 | >16.5 |
| F360 | <40 | 22.8±1.5 | >12 |
| F400 | <32 | 17.3±1.0 | >8 |
| F500 | <25 | 12.8±1.0 | >5 |
| F600 | <19세 | 9.3±1.0 | >3 |
| F800 | <14 | 6.5±1.0 | >2 |
| F1000 | <10개 | 4.5±0.8 | >1 |
| F1200 | <7 | 3.0±0.5 | >1(80%에서) |
| F1500 | <5 | 2.0±0.4 | >0.8(80%에서) |
| F2000 | <3.5 | 1.2±0.3 | >0.5(80%에서) |
주로 응용 프로그램
-결합 연마재 및 코팅 연마재
-블라스팅, 표면처리, 녹제거
– 습식 및 건식 분사 매체, 분쇄 및 연마 등
– 바닥/벽 라미네이트, 내마모성
– 세라믹 제품: 세라믹 및 타일, 세라믹 필터 플레이트, 세라믹 멤브레인 등
-테프론 페인팅 등
– 단열재
-연삭 휠, 컵 휠, 숫돌, 연마 패드 등
-도가니, 가마소성 부품, 기계적 씰, 반도체 생산용 부품 소재 등에 사용
